突破國外技術(shù)壁壘 新型相變存儲器獲重大突破 —— 文章正文2017-11-14
近日，西安交通大學(xué)材料學(xué)院與中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所在新型相變存儲材料方面取得重大突破?？茖W(xué)家利用材料計算與設(shè)計的手段篩選出新型相變材料鈧銻碲合金，該材料利用結(jié)構(gòu)適配且更加穩(wěn)定的鈧碲化學(xué)鍵來加速晶核的孕育過程，顯著降低形核過程的隨機(jī)性，大幅加快結(jié)晶化即寫入操作速度。與業(yè)內(nèi)性能最好的相變器件相比，鈧銻碲器件的操作速度提升超過10多倍，達(dá)到了0.7納秒的高速可逆操作，并且降低操作功耗近10倍。相關(guān)科研成果發(fā)表于美國Science雜志。
點(diǎn)評：相變存儲器具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。新式鈧銻碲(SST)相變存儲器的重大突破解決了寫入速度瓶頸問題，在高密度、高速存儲器上的應(yīng)用驗(yàn)證對于我國突破國外技術(shù)壁壘、開發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器芯片具有重要價值。南大光電生產(chǎn)的MO源、二叔丁基碲，是制造相變存儲器的核心原材料。
(責(zé)任編輯： 來源： 時間：2017-11-14)
Keywords（關(guān)鍵詞）： 長距離皮帶托輥傳輸機(jī)
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